依 ISL8117A 資料手冊 (FN8752) Feedback Loop Compensation 章節公式計算 Type III 補償網路元件值
依 MAX20098 資料手冊 "Compensation-Components Calculation" 章節,計算 Type II 補償元件 Rc、Cc、Cf 並繪製波德圖
MAX20098 Type II 補償網路架構圖
瞭解兩顆 IC 的差異、補償設計原理、以及 IBB 模式的注意事項
| 特性 | ISL8117A (Intersil / Renesas) | MAX20098 (Maxim / ADI) |
|---|---|---|
| 控制模式 | Valley 電流模式(低側 MOSFET 導通時取樣) | Peak 電流模式 |
| 輸入電壓範圍 | 4.5V ~ 60V | 3.5V ~ 36V |
| 輸出電壓範圍 | 0.6V ~ 54V | 1V ~ (VIN − dropout) |
| 切換頻率 | 100kHz ~ 2MHz(RT 電阻設定) | 200kHz ~ 2.2MHz(RT 電阻設定) |
| 電流感測方式 | 低側 MOSFET RDS(on)(Valley sensing) | 電感 DCR 或外部電流感測電阻 |
| 誤差放大器 | 電壓輸出型 EA(外接 Type III 網路到 COMP pin) | 跨導型 gm-EA(gm=500µS,ROUT=30MΩ) |
| 補償類型 | Type III(2 零點 + 2 極點 + 積分器) | Type II(1 零點 + 1~2 極點 + 積分器) |
| 補償元件數量 | R3, C1, C2, C3(4 個) | Rc, Cc, Cf(2~3 個) |
| 內部參考電壓 | 0.6V | 1.0V |
兩顆 IC 都是電流模式控制,電感電流迴路已被內部電流迴路「吸收」,Plant 簡化為:
與電壓模式(具有 LC 二階諧振)相比,電流模式的 Plant 本質上是單極點系統(高頻極點在 fSW/2 附近),補償設計更簡單。
ISL8117A 的 EA 是電壓輸出型,COMP pin 的阻抗網路直接決定閉迴路響應。Type III 網路提供:
補償元件:C2(積分器電容)→ R3(設定 fz1)→ C1(設定 fz2)→ C3(設定 fp2)
MAX20098 的 EA 是跨導型(gm-EA),輸出為電流源,等效輸出阻抗 ROUT,EA = 30MΩ。外接 Rc/Cc/Cf 構成 Zcomp,迴路增益為:
Gloop = Plant × (1/VOUT) × gm,EA × (ROUT,EA ‖ Zcomp)
Type II 網路提供:
| 項目 | ISL8117A (Type III) | MAX20098 (Type II) |
|---|---|---|
| EA 類型 | 電壓輸出型 | 跨導型 (gm = 500µS) |
| 迴路增益計算 | 各因子 dB 加總法(可分離) | 複數運算法(Zcomp 不可分離) |
| 零點數量 | 2 個(需抵消 fp 和 fi) | 1 個(只需抵消 fpMOD) |
| fC 設定範圍 | fp << fC ≈ fSW/10(datasheet 建議 0.1×fSW) | fpMOD << fC ≤ fSW/5 |
| 高頻極點(fi)來源 | Km×Ri/L(Valley 取樣相關) | 無獨立 fi(取樣極點已被忽略) |
| Loop Gain 公式 |
ISL8117A Gloop(s) = Gdc · (1+s/ωz) / [(1+s/ωp)(1+s/ωi)] × (1+sR3C2)(1+sR1C1) / [sR1C2 · (1+sR3C3)] ■ IC 轉移函數(Plant:含 DC 增益 + 極點 + ESR 零點) × ■ Type III 補償網路 MAX20098 Gloop(s) = gmc·RLOAD · (1+s/ωzMOD) / (1+s/ωpMOD) · (1/VOUT) × gm,EA · (ROUT,EA ‖ Zcomp) ■ IC 轉移函數(Plant × 回授衰減 1/VOUT) × ■ gm-EA × Type II 補償阻抗 其中 Zcomp:無 Cf → Rc + 1/(sCc); 有 Cf → Z1/(1 + sCf·Z1),Z1 = Rc + 1/(sCc) |
|
IBB(Inverting Buck-Boost)是利用 Buck 控制器 IC,將電感的接法反轉,使輸出產生負電壓。 例如:VIN = 12V → VOUT = −3V。此拓樸在本質上是一種 Buck-Boost 變形。
IBB 的工作週期與等效 Buck 相同:
| 參數 | IBB 實際值 | 程式輸入值 |
|---|---|---|
| VIN | 12V(實際輸入) | 15V = VIN,real + |VOUT| = 12 + 3 |
| VOUT | −3V(負電壓) | 3V = |VOUT| |
| D | |VOUT| / (VIN + |VOUT|) = 3/15 = 0.2 | VOUT / VIN = 3/15 = 0.2 ✓ |
這個替換使得 Plant 極點、調制器增益、補償元件計算完全一致。
IBB/Boost 拓樸存在一個標準 Buck 不具有的 Right-Half-Plane Zero(RHP 零點):
fRHPZ = (1 − D)² × RLOAD / (2π × L × D)
RHP Zero 的特殊性質:
| 特性 | LHP 零點(一般零點) | RHP 零點 |
|---|---|---|
| 幅度(Gain) | +20 dB/dec(增益上升) | +20 dB/dec(增益上升) ← 相同 |
| 相位(Phase) | +90°(提升相位裕量) | −90°(消耗相位裕量!) |
| 對穩定性影響 | 有益(提升 PM) | 有害(降低 PM,可能不穩定) |
RHP Zero 增加增益但同時消耗相位 — 這使得補償器無法用傳統零點/極點對消的方式抵消它。 唯一的策略是讓 fC 遠低於 fRHPZ,使 RHP Zero 的相位影響在穿越頻率處可忽略。
| 項目 | 標準 Buck | IBB(逆轉升降壓) |
|---|---|---|
| Plant 極點 | fp(負載極點)、fi(取樣極點) | 相同 + fRHPZ |
| 高頻 Gain | 持續下降(−20 或 −40 dB/dec) | RHPZ 以上增益下降速度變慢(因 RHPZ 增益+20dB/dec) |
| 高頻 Phase | 逐漸趨近 −90° ~ −180° | RHPZ 額外消耗相位,更快趨近 −180° |
| Phase Margin | 容易達到 45°~60° | 若 fC 接近 fRHPZ 則 PM 大幅降低 |
| fC 上限 | fSW / 5 | min(fSW/5, fRHPZ/5) |
| 補償元件 | 依 fC 設計 | 相同方法但 fC 受限,通常更低的頻寬 |
不想手動查表對齊標準值?「實際元件值」卡片上方的工具列可依指定精度自動把計算值對齊到 E-series 市售品,並立即重畫 Bode 圖。
鄰近值選取採 log-scale 最近(等同百分比誤差最小),跨 decade 亦能正確對齊。若切換精度後按鈕再按一次,欄位會以新的精度重算並重畫。
| 精度選項 | 常見用途 | 備註 |
|---|---|---|
| R: E96 (1%) | 薄膜/金屬皮膜精密電阻 | 補償網路建議首選 |
| R: E24 (5%) | 碳膜一般電阻 | 成本敏感應用 |
| C: E24 (5%) | C0G/NP0 陶瓷電容(pF 級) | 補償 Cc/C1/C3 首選 |
| C: E12 (10%) | X7R 陶瓷電容(nF~µF 級) | 容值較大時常見 |
| C: E6 (20%) | Y5V / 電解電容 | 精度要求低時使用 |
每個分頁的「計算」按鈕上方都有可折疊的「公式說明 Formula Reference」, 點擊展開可查看所有計算公式、Bode 圖表達式以及 PM/GM 的定義。